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歐美晶振

首頁歐美晶振IDT晶振艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子

    艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子

  • 產(chǎn)品型號:4300497
  • 晶振頻率:25MHZ
  • 晶振尺寸:5.0*3.2*1.2mm
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子,IDT晶振,SMD晶振,無源諧振器,無源晶振,5032mm晶振,型號495-25-141,編碼495-25-141JB4I是一款四腳貼片型的音叉晶體,尺寸為5032mm,頻率為25MHZ,負(fù)載電容10pF,精度10ppm,...

 艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子,IDT晶振,SMD晶振,無源諧振器,無源晶振,5032mm晶振,型號495-25-141,編碼495-25-141JB4I是一款四腳貼片型的音叉晶體,尺寸為5032mm,頻率為25MHZ,負(fù)載電容10pF,精度10ppm,工作溫度-40°C~+85°C,產(chǎn)品具備高質(zhì)量高性能低損耗的特點,非常適合用于高精密的應(yīng)用程序,比如5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,智能家居等產(chǎn)品.
    495-48-13JB4X晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子

  5032mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
495-25-141JB4I晶振   參數(shù)表
IDT晶振規(guī)格 單位 495-25-141晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 25MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度 T_stg -40 °C - +85 °C 裸存
工作溫度 T_use -40 °C - +85 °C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率 DL 100μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10× 10-6 ~ ± 727.5× 10-6 可用)
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.cuifesek.cn
頻率溫度特征 f_tem ±20 × 10-6/25°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 10 pF 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子  尺寸圖

艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子  在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作

IDT晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量。
IDT晶振集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況。另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。
IDT晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。
盡可能的采用無害的原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物。集團公司同時將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。艾迪悌晶振495-25-141,495-25-141JB4I水晶振動子
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和進口石英晶振產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性。
按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善。
建立和遵守其嚴(yán)格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標(biāo)準(zhǔn)。將不斷地擴展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目。
對員工進行環(huán)境保護知識培訓(xùn),提高其環(huán)境意識,建立環(huán)境職責(zé),自覺改進、預(yù)防對環(huán)境的負(fù)面影響。
在產(chǎn)品的全過程中努力節(jié)能降耗,實現(xiàn)資源消耗最小化。對產(chǎn)生環(huán)境影響的活動做出及時反應(yīng),并對可能產(chǎn)生環(huán)境負(fù)面影響的活動做出預(yù)防。
得捷編碼 Manufacturer Part Number原廠編碼 Manufacturer廠家 Description 參數(shù) Size / Dimension 尺寸
278-25.78125-1SA2I-ND 278-25.78125-1SA2I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.7810MHZ 10PF SMD 0.402" L x 0.193" W (10.20mm x 4.90mm)
278-25-336SA2I-ND 278-25-336SA2I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD 0.402" L x 0.193" W (10.20mm x 4.90mm)
278-25-336SA2I8-ND 278-25-336SA2I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD 0.402" L x 0.193" W (10.20mm x 4.90mm)
278-2578125-1SA2I8-ND 278-2578125-1SA2I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.781MHZ 10PF SMD 0.402" L x 0.193" W (10.20mm x 4.90mm)
278LF-8-206SA2X-ND 278LF-8-206SA2X IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
278LF-8-206SA2X8-ND 278LF-8-206SA2X8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
443-7.3728-1JU6I-ND 443-7.3728-1JU6I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
445-7.3728-1JU6I-ND 445-7.3728-1JU6I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
495-24.8832-2JB4I-ND 495-24.8832-2JB4I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 24.8830MHZ 10PF SMD 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-24.8832-2JB4I8-ND 495-24.8832-2JB4I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 24.8830MHZ 10PF SMD 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-25.78125-2JB4I-ND 495-25.78125-2JB4I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.7810MHZ 10PF SMD晶體 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-25-141JB4I-ND 495-25-141JB4I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-25-141JB4I8-ND 495-25-141JB4I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-2578125-2JB4I8-ND 495-2578125-2JB4I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.7810MHZ 10PF SMD 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
495-48-13JB4X-ND 495-48-13JB4X IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
495-48-13JB4X8-ND 495-48-13JB4X8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
507B25-31JA4X-ND 507B25-31JA4X IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
507B25-31JA4X8-ND 507B25-31JA4X8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
589-25-21SJ4I-ND 589-25-21SJ4I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
589-25-21SJ4I8-ND 589-25-21SJ4I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL -
603-24-127JA4I-ND 603-24-127JA4I IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 24.0000MHZ 12PF SMD 0.130" L x 0.102" W (3.30mm x 2.60mm)
603-24-127JA4I8-ND 603-24-127JA4I8 IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 24.0000MHZ 12PF SMD 0.130" L x 0.102" W (3.30mm x 2.60mm)
603-25-150JA4C-ND 603-25-150JA4C IDT, Integrated Device Technology Inc CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD 0.130" L x 0.102" W (3.30mm x 2.60mm)


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